看“活字印刷术”如何为氢能转化“提速”

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DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、字印PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。对于Z-schemeg-C3N4/SnS2的速率步骤为CO2→COOH*，刷术速ΔG为1.10eV，主要产物为CH3OH和CH4。

为氢g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的模拟吸收光谱具有红移和更强的吸收。化提（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。图9在Z-scemeg-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上，看活CO2还原成CH4和CH3OH的可能反应路径图10Z-schemeg-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图11Z-schemeB掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上CO2反应路径中的自由能计算图图12Z-schemeg-C3N4/SnS2和B-掺杂g-C3N4/SnS2异质结构上HER的能量分布图【小结】本文通过第一原理计算和实验设计了新的Z-schemeB-掺杂g-C3N4/SnS2光催化剂。

字印（b）B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的电荷密度差异图。刷术速（f）异质结构g-C3N4/SnS2的侧视图。

与g-C3N4相比，为氢Z-scheme异质结构具有更窄的带隙、红移和更强的光吸收，显著提高了光催化活性。

化提图8g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的光催化机理图（a）g-C3N4/SnS2的Z-scheme光催化机理图。此外，看活在纯净和掺杂的PtD-y晶体中观察到了与EnT过程耦合的显着PL各向异性。

1993年6月回北京大学任教，字印同年晋升教授。O活性位点的活性不仅可以通过用其他TM原子代替最接近的原子（Ti）来调节，刷术速而且可以通过在其第二最接近的位点产生O空位来调节。

而且，为氢具有广阔带电荷3D网络的聚电解质凝胶可以充当离子扩散促进剂，从而大大提高界面传输效率。化提干净的石墨烯薄膜是用于包括透明电极和外延层在内的应用的有前途的材料。